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1700V+1000A功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試機(jī)

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品牌：	普賽斯儀表
單價(jià)：	1000.00元/臺(tái)
起訂：	1 臺(tái)
供貨總量：	10000 臺(tái)
所在地：	湖北武漢市
有效期至：	長(zhǎng)期有效
最后更新：	2023-05-23 09:38

公司基本資料信息

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產(chǎn)品詳細(xì)說(shuō)明

功率半導(dǎo)體器件一直是電力電子技術(shù)發(fā)展的重要組成部分，是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電源管理的核心器件，又稱(chēng)為電力電子器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉(zhuǎn)換和管理等，兼具節(jié)能功效。隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展和電力電子技術(shù)水平的提高，功率半導(dǎo)體器件也在不斷發(fā)展和創(chuàng)新，其應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)，市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn)，功率半導(dǎo)體的襯底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC（碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料迅速崛起，它們通常具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點(diǎn)，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。

不同材料、不同技術(shù)的功率器件的性能差異很大。市面上傳統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求。但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，這就對(duì)器件的測(cè)試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。靜態(tài)參數(shù)測(cè)試又叫穩(wěn)態(tài)或者DC（直流）狀態(tài)測(cè)試，施加激勵(lì)(電壓/電流)到穩(wěn)定狀態(tài)后再進(jìn)行的測(cè)試。主要包括：柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級(jí)間耐壓、源極漏級(jí)間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容),以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測(cè)試。

圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題，如掃描模式對(duì)SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對(duì)SiC MOSFET 導(dǎo)通電阻的影響、等效電阻及等效電感對(duì)SiC MOSFET導(dǎo)通壓降測(cè)試的影響、線路等效電容對(duì)SiC MOSFET測(cè)試的影響等多個(gè)維度，針對(duì)測(cè)試中存在的測(cè)不準(zhǔn)、測(cè)不全、可靠性以及效率低的問(wèn)題，普賽斯儀表提供一種基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測(cè)試方案，具有更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力。詳詢一八一四零六六三四七六

靜態(tài)測(cè)試所用儀表框圖

系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（Z大擴(kuò)展至10kV）；
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電流測(cè)試；
豐富模板：內(nèi)置豐富的測(cè)試模板，方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù)；
配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能；
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出；
模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可自由配置，方便維護(hù)；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度；
可定制開(kāi)發(fā)：可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā)；

系統(tǒng)參數(shù)

項(xiàng)目		參數(shù)
集電極-發(fā)射極	Z大電壓	3500V
	Z大電流	6000A
	精度	0.10%
	大電壓上升沿	典型值5ms
	大電流上升沿	典型值15us
	大電流脈寬	50us~500us
	漏電流測(cè)試量程	1nA~100mA
柵極-發(fā)射極	Z大電壓	300V
	Z大電流	1A(直流)/10A(脈沖)
	精度	0.05%
	Z小電壓分辨率	30uV
	Z小電流分辨率	10pA
電容測(cè)試	典型精度	0.5%
	頻率范圍	10Hz~1MHz
	電容值范圍	0.01pF~9.9999F
溫控	范圍	25℃~150℃
溫控	精度	±1℃

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等